南宁市高歌水处理设备有限公司

电力半导体器件工艺用高纯水

2023-07-12 10:25

中华人民共和国机械行业标准
JB/T 7621--94  
电力半导体器件工艺用高纯水
机械工业部.1994-12-09批准 1995—O6—O1实施

1 主题内容与通用范围
本标准给出了电力半导体器件工艺用高纯水(以下称高纯水)的级别、技术要求、测试方法和规则。
本标准适用于去离子处理后的高纯水。

2 引用标准
GB11446电子级水及其检测方法

3术语
3.1 电导率electrical conductivityctricalconduc2ivity
在规定温度下,1cm3水溶液两相对面之间测得的电阻值的倒数。电导率通常以μS/cm为单位。水的理论电导率为0.0548μs/cm(25℃时)。

3.2电阻率 resistivity
电导率之倒数。纯水的理论电阻率为18.3MΩ.cm(25℃时)。温度升高时电阻率下降。

3.3颗粒性物质granular sulbstance
除气体以外,以非液态形式分散在水中,并形成非均匀相混合物的物质。

3.4总有机碳(TOC)total organic carbon
水中以各种有机物形式存在的碳的总量。包括易被—般强氧化剂氧化的有机物和需用特殊化的有机物。

3.5总固体 total solid
水样蒸发、烘干后残留的固总量。

3. 6全硅 total silicon
水中可溶性硅和以二氧化硅胶体状态存在的硅的总量。全硅和可溶性硅之差即叫为胶体硅。

3.7高纯水high-pure water, ultrapure water
电阻率在5MΩ·cm以上,各种形式存在的物质含量有一定规定限制的很纯净水

3.8原水raw watcr
纯化处理之前的水。常用的原水将自来水、井水、河水等。

3.9终端 terminal。
高纯水生产流程中经过各道冲化工艺后,水的出口使用地点。可分别称为制水终端和用水

3.10微量micro-amount
试样量在1mg左右。

3.11 痕量 trace amount
试样量在1μg左右。

3.12百万分之一(ppm) part per million
重量比的量,相当于每百万重量的溶液中含一单位重量的溶质。在水质分析中,一殷也认为相当每升水样含杂质的毫克数(mg/L)。

3.13十亿分之一(ppb)part per billion
重量比的单位,相当于每十亿重量单位重量的溶液中含一单位重量的溶质,在水质分折中,一般认为相当于短升水样含杂质的微克数(μg/L)。

4高纯水的级别
4.1高纯水可分为电子级高纯水和普通高纯水,分别用符号EH和pH标志。

4. 2电子级高纯水

4.2.1在制造工艺中使用电子级高纯水的电力半导体器件有如下特点:
a.具有精细图形结构;
b.对器件表面有特殊要求;
c.工艺对水质有特定的严格要求。

4.2.2电子级高纯水分为两个级别:特级和I级。它们的标志分别是:
特级电子级高纯水:EH—T
一级电子级高纯水:EH—1

4.3普通高纯水
4.3.1普通高纯水用于一般电力半导体器件的制造工艺中。
4.3.2普双高纯水分为三个级别:Ⅰ级、Ⅱ级和Ⅲ级。它们的标志分别是:
I级普通高纯水:pH—Ⅰ
x级普通高纯水:PH—Ⅱ
m级普通高纯水:pH—Ⅲ

4. 4电阻率低于5MΩ·cm的水不能称为高纯水。

5技术要求
5.1电子级高纯水
5.1.1电子级高纯水应考核四项内容:
a. 水中自由离子浓度(主要影响电阻率);
b.水中悬浮微粒的数量和大小;
C. 水中有机物总量;
d. 水中细菌微生物状况。
5. 1. 2电子级高纯水的各项技术指标由表1给出。
l

   标

EH— T

EH-I

电阻率,MΩ·cm(25℃)

18 (90%时间)
最小17

16~18 (90%时间)
最小15

大于1μm微粒数.个/mL

1

1

大于05um微被数
(最大值),个/mL

100

150

细菌个数,个/mL

1

1

总有机碳含量(最大值)μgL

50

100

全硅(最大值)μgL

2

10

氯含量(最大值)μgL

0.5

2

钾含量(最大值)μgL

0.2

1

钠含量(显大值)μgL

0.2

1

钙含量(最大值)μgL

0.5

1

铝含量(最大值)μgL

0.5

1

铜含量(最大值)μgL

0.1

1

总可溶性固体含量(最大值)μgL

3

10

5.2普通高纯水
5.2.1普通高纯水主要考核其电阻率。
5.2.2普通高纯水的技术指标由表2给出。
表2  

指   标

级   标

PH-Ⅰ

PH-Ⅱ

PH-Ⅲ

电阻率(25℃)cm

12-15

8~<12

5~<8

大于lμm的微粒数,个/mL

<50

总有机碳含量,μgL

<500

全硅,μgL

<100

6测试方法和检验规则
61电阻率测试方法

611用电导率仪测量高纯水电阻率时:
a.电导池常数选川0.1—0.01cm-1
b.被测高纯水应处于密封流动状态,避免任何气体混入,流速不低于03m/s

612t℃时测得的电阻率值ρt,用下式换算成25℃的电阻率ρ25
ρ25=1/{αt(1/ρt-Gt)+0.05482}
式中:ρ25——25时的电阻率MΩ.CM
ρt——t℃时的电阻率MΩ.CM
Gt——t℃时理论纯水的电导率μS/CM,其值见附录A;
αt——t℃时修正系数,其值见附录A;
0.05482——t℃时理论纯水的电导率μS/CM。

.2其他技术指标测量方法
  执行GB11446.5~11446.11中有关规定。

6.3检验规则
631各个级别高纯水的电阻率为经常必测项目。
632对电子级高纯水,用水单位还应根据生产要求制定对微粒数、痕量金属、细菌、有机物及二氧化硅等各项技术指标的检验规则。
633制水工艺条件改变时,应及时对表1或表2中各项技术指标全面检验。
634所有测量均应在制水终端和用水点两处测量。制水终端水的质量称为制水水质;用水点水的质量称为用水水质。对普通高纯水,用水水质和制水水质应在同一级别上。对电子级高纯,主要检验用水水质,但应给出制水水质作参考。制水水质还用于检验制水设备和技术。

64检验标志
在高纯水制水终端和用水点按要求进行检验后,若水质合格,应附标有下列内容的检验合格证:
a.高纯水的级别标志;
b.要求检测的技术指标及测量结果;
c. 制水单位;
d.连续供水开始日期(普通高纯水可无此项)
e.检验员签章及检验日期。

7取样、存贮和运输
7. 1. 高纯水的取样
711盛水容器必须使用塑料或硬质玻璃容器。用于测定硅或分析痕量成分时。必须使用聚乙烯等塑料容器。
712取样前,盛水容船应预先用洗涤剂清洗干净,再用盐酸(11)10%硝酸溶液浸泡48H(分析阴离子用的容器除外),然后用高纯水冲洗干净,再用高纯水浸泡不少于6h。临取样时,用待测高纯水冲洗容器小少于10次、方可取样。
713采集水样时,应先把管道中的积水放尽,并冲放5—10min,在流动状态取样。以保证水样有充分的代表性。
714取样的体积约为容器体积的0.6—0.8,不得太满。取样后。应迅速把容器盖严。
71. 5细菌分析采样容器必须经过高温消毒处理。
72 高纯水的贮存与运输
721分析高纯水中的阳、阴离子时,采集的水样可存放72H。细菌检验时,水样存放时间不得大于4H
722高纯水在贮存和运输时,应检查容器益是否密封严密。装有水样的容器不能在太阳下曝晒或放在高温处。冬天要注意防冻。
7. 23高纯水在贮存和运输过程中;应定时记录时间、温度和气候条件等。